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總投資15億元的氮化鎵半導體材料項目開工建設

時間:2019-11-07 16:19:23 來源:全球半導體觀察

近日,遼寧百思特達半導體科技有限公司氮化鎵項目正式開工建設,這距離該項目10月4日落戶盤錦高新區還不足一個月時間。

資料顯示,該項目總投資15億元,計劃占地440畝,以氮化鎵半導體材料為主,相關配套輔助產業為輔,并在盤錦建立新材料閉環產業園,達產后預計可實現銷售收入4億元,稅收7000萬元。

氮化鎵半導體材料及氮化鎵芯片研發、生產項目開始動土,一期總投資3億元,占地125畝,總建筑面積66600平方米,包括綜合研發實驗室、半導體及芯片生產車間、應用產品生產車間、制氫站車間、倉庫及員工生活配套區,新上氮化鎵外延生產線、芯片生產線,封裝生產線,應用產品生產線。

根據原計劃,項目計劃于11月前動工建設,2021年6月前竣工投產。投產后兩年內銷售產值每年不少于4億元,年上繳稅金不少于2000萬元。

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